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Microwave Technology

Microwave Technology

Einführung

Microwave Technology - MicroWave Technology, Inc. ist ein führender Hersteller von RF & amp; Mikrowellen diskrete Halbleiterprodukte, GaAs und GaN HF-Leistungsverstärker, rauscharme pHEMT-Geräte, MMICs, drahtlose Verstärker, Hybridmodule und konfektionierte Mikrowellenverstärker.
MicroWave Technology, Inc. (MwT) mit Sitz im kalifornischen Silicon Valley wurde 1982 von Technikern mit umfassender Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Galliumarsenid (GaAs) -Geräten gegründet. Mit einer Fabrik, die 35.000 Quadratfuß umfasst, umfasst das Hauptvermögen des Unternehmens sowohl seine GaAs-Halbleiterfabrikation als auch eine hybride integrierte Chip- und Draht-Mikrowellen-ICIC-Fertigungsanlage (HMIC). Die vertikale Herstellungs- und Produktstärke bietet eine ungewöhnlich hohe Flexibilität und Gelegenheit für MwT auf dem Markt für Mikrowellenkomponenten.
MwT ist ein führender amerikanischer Hersteller von diskreten Galliumarsenid-Dioden und -Transistoren (FETs, pHEMTs und Gunn Diodes). Frühe Arbeiten, die sich auf die Zuverlässigkeit von Bauelementen konzentrierten, führten zu proprietären Metallisierungssystemen, die die Geräte von MwT für eine Wasserstoffkontamination undurchlässig machen, was für die hochzuverlässige Industrie von großem Interesse ist. Diese Geräte verwenden proprietäres Epi-Material und Viertelmillimeter-Versenkte-Gate-Prozesstechnologie, die hochgradig linear (+48 dBm IP3 in einem 1 W P-1 dB Wireless-Verstärker) und niedrigem Phasenrauschen (-125 dBc @ 100 kHz Offset in einem 17,5 GHz DRO) -Geräte mit einer Ausgangsleistung von 10 Milliwatt bis 5 Watt. Diese Vorrichtungen, die als Chips oder in Paketen verkauft werden, finden breite Verwendung bei der Verstärkung von Signalen von 10 MHz bis 40 GHz bei der Übertragung oder dem Empfang von Informationen in drahtlosen Infrastruktursystemen, industriellen HF-Anwendungen und in verschiedenen Verteidigungs- und Weltraumelektronik.
Durch die Nutzung der niedrigen Intermodulationsverzerrungseigenschaften der GaAs-FETs von MwT genießt das Unternehmen einen wachsenden Ruf für seine Produktlinie kleiner intern angepasster modularer oberflächenmontierbarer Sende- und Empfangsverstärkermodule, die auf Multiträger und / oder digital moduliert sind (hohe Linearität) ) drahtlose Infrastruktur und militärische Kommunikationssysteme. Hauptanwendungsgebiete sind Empfänger-Frontends und Treiber- oder Picozellen-Ausgangsverstärker in Mobilfunk-, PCS- und WLL-Basisstationen sowie militärische hochzuverlässige Kommunikation. Bemerkenswerte neue Produkte haben eine extrem niedrige Eingangs- und Ausgangsrückflussdämpfung, die eine einfache Einfügung der Verstärkung in hochkritische Linearitäts-Leistungsverstärkerkaskaden ermöglicht. MwT bietet seine bewährte Dünnfilm-Prozessor-Verarbeitungskapazität für interne und externe Kunden. Mit dem Dünnfilm-Hybrid-Mikroschaltkreis produziert und vertreibt MwT verschiedene modulare Standard-Verstärkerprodukte bis 26 GHz. Diese Module sind auch Bausteine ​​für MwT, um Standard- und kundenspezifisch konfektionierte Verstärker für Verteidigungs- und Telekommunikationsanwendungen zu entwickeln und herzustellen.
MwT verfügt über langjährige Erfahrung bei der Erstellung von Spezialkonstruktionen für Kunden und verfügt über eine umfangreiche Bibliothek an kundenspezifischen Designs auf Basis von MwT-Geräten. MwT verwendet sowohl seine Standard- als auch seine kundenspezifischen Versionen seiner Teile, um spezialisierte Verstärker und Board-Level-Produkte zu produzieren. Unsere bewährte Erfahrung und Erfolgsbilanz können Ihnen dabei helfen, Konstruktionskosten, Zeit und technische Ressourcen zu sparen. Beispiele sind Niederfrequenz-LNA, Wireless-LNA-Boosterverstärker, integrierte Bausteine, Hochfrequenzoszillatoren, Evaluation-Boards und Testgeräte.

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