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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4933G
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24823801N4933G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4933G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4933G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4933G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-41
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    300ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1N4933G-ND
    1N4933GOS
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 1A Through Hole DO-41
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1N4933

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Das Folgende sind "1N4933G" -Einziper.
1N4933GL-T

1N4933GL-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4933G B0G

1N4933G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4933G-T

1N4933G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4933-E3/54

1N4933-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4932

1N4932

Beschreibung: DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4933

1N4933

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4933-TP

1N4933-TP

Beschreibung: DIODE GPP FAST 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4933-T

1N4933-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4933

1N4933

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4933GHB0G

1N4933GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4933-E3/73

1N4933-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4932A

1N4932A

Beschreibung: DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4933G A0G

1N4933G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4933G R1G

1N4933G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4933GHR0G

1N4933GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4931A

1N4931A

Beschreibung: DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4933GHA0G

1N4933GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4933G R0G

1N4933G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4933GHR1G

1N4933GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4931

1N4931

Beschreibung: DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
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