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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5401
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7117551N5401-Bild.ON Semiconductor

1N5401

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5401
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3A
  • Spannung - Durchschlag
    Axial
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Andere Namen
    1N5401OS
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1N5401
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 100V 3A Through Hole Axial
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 100V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 170°C
1N5400RLG

1N5400RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N5400GP-TP

1N5400GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1N5401-G

1N5401-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1N5400T-G

1N5400T-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1N5401G

1N5401G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N5401-T

1N5401-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N5401/54

1N5401/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5400GHR0G

1N5400GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5401-TP

1N5401-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1N5400GHB0G

1N5400GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5401-B

1N5401-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N5401G-T

1N5401G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N5400G-T

1N5400G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N5400GHA0G

1N5400GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5400TA

1N5400TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
1N5400RL

1N5400RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N5401-E3/73

1N5401-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5401G B0G

1N5401G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5401

1N5401

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
1N5401-E3/54

1N5401-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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