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53067431SS383T1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1SS383T1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS383T1G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SC82
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    600mV @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    40V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-82
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-82
  • Andere Namen
    1SS383T1GOSCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • Diodenkonfiguration
    2 Independent
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 2 Independent Schottky 40V 300mA (DC) Surface Mount SC-82
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 40V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    300mA (DC)
  • Basisteilenummer
    1SS383
1SS388-TP

1SS388-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD523

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1SS387CT,L3F

1SS387CT,L3F

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS379,LF

1SS379,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS381,L3F

1SS381,L3F

Beschreibung: DIODE RF SWITCH 30V 100MA ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS383(TE85L,F)

1SS383(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS382TE85LF

1SS382TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS389,H3F

1SS389,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS380TE-17

1SS380TE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS390TE61

1SS390TE61

Beschreibung: DIODE SW 35V 100MA 2EMD TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS362TE85LF

1SS362TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS389,L3F

1SS389,L3F

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS374(TE85L,F)

1SS374(TE85L,F)

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS378(TE85L,F)

1SS378(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS370TE85LF

1SS370TE85LF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS392,LF

1SS392,LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS367,H3F

1SS367,H3F

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS387,L3F

1SS387,L3F

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS384TE85LF

1SS384TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS393,LF

1SS393,LF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS389-G

1SS389-G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SOD523

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig

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