2SA1417S-TD-E

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Spezifikation

Artikelnummer

2SA1417S-TD-E
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SA1417S-TD-E.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

100V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 100mA, 1A
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

PCP
Serie

-
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-243AA
Andere Namen

2SA1417S-TD-E-ND
2SA1417S-TD-EOSTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

120MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 120MHz 500mW Surface Mount PCP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

2A

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "2SA1417S-TD-E" -Einziper.

2SA1419S-TD-E

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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