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42359662SB1216S-E-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SB1216S-E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SB1216S-E
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PNP 100V 4A TP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    100V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 200mA, 2A
  • Transistor-Typ
    PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    TP
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    1W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    2 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    130MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 130MHz 1W Through Hole TP
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    140 @ 500mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1µA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    4A
  • Basisteilenummer
    2SB1216
2SB1215S-TL-H

2SB1215S-TL-H

Beschreibung: TRANS PNP 100V 3A TP-FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SB1216T-TL-E

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Beschreibung: TRANS PNP 100V 4A TP-FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SB1215T-TL-H

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Beschreibung: TRANS PNP 100V 3A TP-FA

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2SB1218AQL

2SB1218AQL

Beschreibung: TRANS PNP 45V 0.1A SMINI 3P

Hersteller: Panasonic
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2SB1218ARL

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Beschreibung: TRANS PNP 45V 0.1A SMINI 3P

Hersteller: Panasonic
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2SB1205T-E

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Beschreibung: TRANS PNP 20V 5A TP

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2SB1215S-TL-E

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2SB1216T-TL-H

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2SB1215T-H

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2SB1216S-TL-E

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Beschreibung:

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2SB1218A0L

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2SB1216S-TL-H

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2SB1215S-E

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