2SC2812N6-TB-E

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Spezifikation

Artikelnummer

2SC2812N6-TB-E
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 50V 0.15A CP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SC2812N6-TB-E.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

3-CP
Serie

-
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 100MHz 200mW Surface Mount 3-CP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

135 @ 1mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

150mA

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "2SC2812N6-TB-E" -Einziper.

2SC2712-BL,LF

Beschreibung: TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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