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21473712SC3647T-TD-E-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC3647T-TD-E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SC3647T-TD-E
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN 100V 2A SOT89-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    2SC3647T-TD-E.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    100V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 100mA, 1A
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    PCP
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-243AA
  • Andere Namen
    2SC3647T-TD-EOSCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    120MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 2A 120MHz 500mW Surface Mount PCP
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 100mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    2A

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Das Folgende sind "2SC3647T-TD-E" -Einziper.
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Beschreibung: TRANS NPN 800MA 120V SC71

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3646T-P-TD-E

2SC3646T-P-TD-E

Beschreibung: TRANS NPN 100V 1A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3585-A

2SC3585-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3665-Y,T2NSF(J

2SC3665-Y,T2NSF(J

Beschreibung: TRANS NPN 800MA 120V SC71

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3648T-TD-E

2SC3648T-TD-E

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A SOT89-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3611

2SC3611

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.15A TO-126

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SC3646S-P-TD-E

2SC3646S-P-TD-E

Beschreibung: TRANS NPN 100V 1A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3649T-TD-E

2SC3649T-TD-E

Beschreibung: TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3665-Y(T2NSW,FM

2SC3665-Y(T2NSW,FM

Beschreibung: TRANS NPN 800MA 120V SC71

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3646S-TD-E

2SC3646S-TD-E

Beschreibung: TRANS NPN 100V 1A SOT89-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3585-T1B-A

2SC3585-T1B-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3648S-TD-E

2SC3648S-TD-E

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A SOT89-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3583-T1B-A

2SC3583-T1B-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3647S-TD-E

2SC3647S-TD-E

Beschreibung: TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3646T-TD-E

2SC3646T-TD-E

Beschreibung: TRANS NPN 100V 1A SOT89-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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2SC3624-T1B-A

2SC3624-T1B-A

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.15A

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
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2SC3649T-TD-H

2SC3649T-TD-H

Beschreibung: TRANS NPN 160V 1.5A PCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SC3649S-TD-E

2SC3649S-TD-E

Beschreibung: TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SC3665-Y,T2F(J

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Beschreibung: TRANS NPN 800MA 120V SC71

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC3649S-TD-H

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Beschreibung: TRANS NPN 160V 1.5A PCP

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