2SK4088LS-1E

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Spezifikation

Artikelnummer

2SK4088LS-1E
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 11A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SK4088LS-1E.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F-3FS
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta), 37W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 7.5A (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220F-3FS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.5A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "2SK4088LS-1E" -Einziper.

2SK4066-DL-1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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