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2SK715V

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SK715V
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    JFET N-CH 50MA 300MW SPA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    2SK715V.pdf
  • Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id
    600mV @ 100µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    3-SPA
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-72
  • Betriebstemperatur
    125°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    10pF @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    15V
  • detaillierte Beschreibung
    JFET N-Channel 50mA 300mW Through Hole 3-SPA
  • Aktuelle Drain (Id) - Max
    50mA
  • Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)
    10mA @ 5V
  • Basisteilenummer
    2SK715

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Das Folgende sind "2SK715V" -Einziper.
2SK4221

2SK4221

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK715W-AC

2SK715W-AC

Beschreibung: JFET N-CH 50MA 300MW SPA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK4222

2SK4222

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF

Beschreibung: JFET N-CH 50V 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK880-BL(TE85L,F)

2SK880-BL(TE85L,F)

Beschreibung: JFET N-CH 50V 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK715U

2SK715U

Beschreibung: JFET N-CH 50MA 300MW SPA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK536-MTK-TB-E

2SK536-MTK-TB-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.1A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK879-Y(TE85L,F)

2SK879-Y(TE85L,F)

Beschreibung: JFET N-CH 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK536-TB-E

2SK536-TB-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.1A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK715U-AC

2SK715U-AC

Beschreibung: JFET N-CH 50MA 300MW SPA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK596S-B

2SK596S-B

Beschreibung: JFET N-CH 1MA 100MW SPA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK715W

2SK715W

Beschreibung: JFET N-CH 50MA 300MW SPA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK880-Y(TE85L,F)

2SK880-Y(TE85L,F)

Beschreibung: JFET N-CH 50V 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK596S-A

2SK596S-A

Beschreibung: JFET N-CH 0.1W

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK545-11D-TB-E

2SK545-11D-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 1MA 125MW CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 50MA 200MW CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK596S-C

2SK596S-C

Beschreibung: JFET N-CH 0.1W

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK771-5-TB-E

2SK771-5-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 20MA 200MW SCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK715V-AC

2SK715V-AC

Beschreibung: JFET N-CH 50MA 300MW SPA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F)

Beschreibung: JFET N-CH 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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