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Zuhause > Produkte > Isolatoren > Optoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-Ausgang > 4N35W
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53285274N35W-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

4N35W

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    4N35W
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    4N35W.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    30V
  • Spannung - Isolation
    5300Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.18V
  • VCE Sätttigung (max)
    300mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    2µs, 2µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor with Base
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    100% @ 10mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    -
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    4N35

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Das Folgende sind "4N35W" -Einziper.
4N35SR2VM

4N35SR2VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N35VM

4N35VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N36(SHORT,F)

4N36(SHORT,F)

Beschreibung: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
4N36

4N36

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
4N36-V

4N36-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
4N36300

4N36300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N36-X009T

4N36-X009T

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
4N35S1(TB)-V

4N35S1(TB)-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
4N35SR2M

4N35SR2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N35SM

4N35SM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N36

4N36

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
4N36-X009

4N36-X009

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
4N35TVM

4N35TVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N36-X000

4N36-X000

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
4N35SD

4N35SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N35S1(TB)

4N35S1(TB)

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
4N36

4N36

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N35SVM

4N35SVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N36-X007

4N36-X007

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
4N35TM

4N35TM

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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