6HP04MH-TL-W

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Spezifikation

Artikelnummer

6HP04MH-TL-W
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V .37A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

6HP04MH-TL-W.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-70FL/MCPH3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 Ohm @ 190mA, 10V
Verlustleistung (max)

600mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-SMD, Flat Leads
Andere Namen

6HP04MH-TL-W-ND
6HP04MH-TL-WOSTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

19 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

24.1pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.84nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 370mA (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SC-70FL/MCPH3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

370mA (Ta)

Das Folgende sind "6HP04MH-TL-W" -Einziper.

NTD4858N-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

PSMN009-100P,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RFQ

AO3414L

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 20V 3A SOT23-3

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

IXTA2N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

APT20M22LVFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 100A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

NVMFS5C682NLT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IPB17N25S3100ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IPI05CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IRF7466TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IRF3711PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

STWA40N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

FQT3P20TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SIJA72ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI7465DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

STW36NM60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

IRFR3707ZTRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

DMG4468LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

RFQ

6HP04CH-TL-W

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

RFD12N06RLE

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SIHB33N60ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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IPI05CN10N G

IRF7466TRPBF

IRF3711PBF

STWA40N60M2

FQT3P20TF

SIJA72ADP-T1-GE3

SI7465DP-T1-GE3

STW36NM60N

IRFR3707ZTRRPBF

DMG4468LK3-13

6HP04CH-TL-W

RFD12N06RLE

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