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4099048ATP218-TL-H-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ATP218-TL-H

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ATP218-TL-H
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ATP218-TL-H.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ATPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 50A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    60W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    ATPAK (2 leads+tab)
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6600pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 100A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A (Ta)

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