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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAY72_T50R
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6729914BAY72_T50R-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BAY72_T50R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAY72_T50R
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    125V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    175°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 125V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BAY72

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Das Folgende sind "BAY72_T50R" -Einziper.
BAY71

BAY71

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAY71_T50R

BAY71_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAY73_T50R

BAY73_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAY72TR

BAY72TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES3G V6G

ES3G V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAS21TR

BAS21TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
US1A-E3/61T

US1A-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BAY80-TR

BAY80-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BAY73TR

BAY73TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAY71TR

BAY71TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
EGP10F-E3/54

EGP10F-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAY73

BAY73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1B/1

ES1B/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
PMEG6010CEJ,115

PMEG6010CEJ,115

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323F

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAY72

BAY72

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
JAN1N4153-1

JAN1N4153-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
BAY80

BAY80

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BYG10J/TR

BYG10J/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAY135-TAP

BAY135-TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAY80-TAP

BAY80-TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
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