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1129609BD180G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD180G

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  • Artikelnummer
    BD180G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    80V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    800mV @ 100mA, 1A
  • Transistor-Typ
    PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-225AA
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    30W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-225AA, TO-126-3
  • Andere Namen
    BD180G-ND
    BD180GOS
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    2 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    3MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 3MHz 30W Through Hole TO-225AA
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    40 @ 150mA, 2V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1mA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    1A
  • Basisteilenummer
    BD180
BD1766STU

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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BD179

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Hersteller: STMicroelectronics
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