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4087205BD680G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD680G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BD680G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PNP DARL 80V 4A TO225
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BD680G.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    80V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    2.5V @ 30mA, 1.5A
  • Transistor-Typ
    PNP - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-225AA
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    40W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-225AA, TO-126-3
  • Andere Namen
    BD680G-ND
    BD680GOS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    2 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    750 @ 1.5A, 3V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    4A
  • Basisteilenummer
    BD680

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Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA

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BD682S

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Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126

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BD682

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BD680AG

BD680AG

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BD680A

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BD680ASTU

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