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2463361BYV32-200G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BYV32-200G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BYV32-200G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BYV32-200G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 20A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    SWITCHMODE™
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    BYV32-200G-ND
    BYV32-200GOS
    BYV32200G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 8A Through Hole TO-220-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    8A
  • Basisteilenummer
    BYV32-200

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Das Folgende sind "BYV32-200G" -Einziper.
BYV32-150HE3/45

BYV32-150HE3/45

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYV32EB-200PJ

BYV32EB-200PJ

Beschreibung: BYV32EB-200PQ TO263 STANDARD MAR

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYV32-150-E3/45

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Beschreibung: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYV32-200-E3/45

BYV32-200-E3/45

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYV32EB-200PQ

BYV32EB-200PQ

Beschreibung: BYV32EB-200PQ/TO263/STANDARD MAR

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYV32-50HE3/45

BYV32-50HE3/45

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYV32-100-E3/45

BYV32-100-E3/45

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYV32-150801HE3/45

BYV32-150801HE3/45

Beschreibung: DIODE ARRAY GP TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYV32E-150,127

BYV32E-150,127

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYV32E-200PQ

BYV32E-200PQ

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYV32-50-E3/45

BYV32-50-E3/45

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYV29X-500,127

BYV29X-500,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 9A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYV32E-100,127

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Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYV32-200

BYV32-200

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BYV32E-200,127

BYV32E-200,127

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220AB

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
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BYV29X-600,127

BYV29X-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
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BYV29G-600,127

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYV32-100HE3/45

BYV32-100HE3/45

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYV32-200HE3/45

BYV32-200HE3/45

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYV32EB-200,118

BYV32EB-200,118

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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