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3195531CNY17F2VM-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

CNY17F2VM

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  • Artikelnummer
    CNY17F2VM
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 4.17KV TRANS 6DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Ausgabe (max)
    70V
  • Spannung - Isolation
    4170Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.35V
  • VCE Sätttigung (max)
    400mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    2µs, 3µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    4µs, 3.5µs (Max)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    63% @ 10mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    125% @ 10mA
  • Strom - Ausgang / Kanal
    50mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    60mA
CNY17F2TM_F132

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Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS 6DIP

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CNY17F33SD

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Beschreibung: OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-SMD

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CNY17F3

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CNY17F3300W

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CNY17F2TVM

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CNY17F2SR2M_F132

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CNY17F2SR2VM

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CNY17F3300

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CNY17F2S

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CNY17F2TM

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CNY17F2SVM

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CNY17F2SR2M

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CNY17F2SM

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CNY17F3SM

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