FCB11N60TM

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Spezifikation

Artikelnummer

FCB11N60TM
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FCB11N60TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK
Serie

SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FCB11N60TMDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

52 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1490pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)
Basisteilenummer

FCB11N60

Das Folgende sind "FCB11N60TM" -Einziper.

FCB11N60FTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

FCB20N60TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

FCB-405-BZ4

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Hersteller: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine

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FCB199N65S3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FCB21R0J

Beschreibung: RES 1.00 OHM 2W 5% RADIAL

Hersteller: AMP Connectors / TE Connectivity

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FCB-405-0622M

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

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FCB2100RJ

Beschreibung: RES 100 OHM 2W 5% RADIAL

Hersteller: AMP Connectors / TE Connectivity

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RFQ

FCB20N60F-F085

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FCB21K0J

Beschreibung: RES 1.00K OHM 2W 5% RADIAL

Hersteller: AMP Connectors / TE Connectivity

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RFQ

FCB20N60-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

FCB-405-0617M

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity

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RFQ

FCB2220RJ

Beschreibung: RES 220 OHM 2W 5% RADIAL

Hersteller: AMP Connectors / TE Connectivity

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RFQ

FCB210RJ

Beschreibung: RES 10 OHM 2W 5% RADIAL

Hersteller: AMP Connectors / TE Connectivity

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RFQ

FCB-405-0625M

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Hersteller: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine

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RFQ

FCB-405-0620M

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Hersteller: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine

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FCB-405-0624M

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity

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RFQ

FCB070N65S3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCB20N60FTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

FCB110N65F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

FCB-405-0621M

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Hersteller: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine

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