FCH165N65S3R0-F155

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Spezifikation

Artikelnummer

FCH165N65S3R0-F155
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

FCH165N65S3R0-F155.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.9mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247-3
Serie

SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (max)

154W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Bleifreier Status

Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FCH165N65S3R0-F155" -Einziper.

FCH170N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 22A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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