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FCI11N60

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FCI11N60
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FCI11N60.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    I2PAK (TO-262)
  • Serie
    SuperFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    125W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1490pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    11A (Tc)

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Zahlung
Das Folgende sind "FCI11N60" -Einziper.
FCI7N60

FCI7N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDS5682

FDS5682

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MIC94051YM4-TR

MIC94051YM4-TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 6V 1.8A 8MSOP

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
CSD18510Q5B

CSD18510Q5B

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
FCI25N60N

FCI25N60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STH12N120K5-2

STH12N120K5-2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
AOTF5N100

AOTF5N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IRLU024ZPBF

IRLU024ZPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
PHK5NQ15T,518

PHK5NQ15T,518

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
STP8N90K5

STP8N90K5

Beschreibung: N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STP7LN80K5

STP7LN80K5

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 5A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STU1HN60K3

STU1HN60K3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
TSM1NB60SCT A3

TSM1NB60SCT A3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO92

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DMP3056LDM-7

DMP3056LDM-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FDZ299P

FDZ299P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AUIRFS3004

AUIRFS3004

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FCI25N60N-F102

FCI25N60N-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIPC07N50C3X1SA1

SIPC07N50C3X1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR N-CH

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFR5410PBF

IRFR5410PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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