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FCP11N60N-F102

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FCP11N60N-F102
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FCP11N60N-F102.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220F
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    299 mOhm @ 5.4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    94W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    FCP11N60N_F102
    FCP11N60N_F102-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1505pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10.8A (Tc)

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Das Folgende sind "FCP11N60N-F102" -Einziper.
FCP104N60F

FCP104N60F

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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FCP104N60

FCP104N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP1206C153J

FCP1206C153J

Beschreibung: CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP0805H821J-J1

FCP0805H821J-J1

Beschreibung: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP099N60E

FCP099N60E

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP11N60F

FCP11N60F

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP1206C153J-H1

FCP1206C153J-H1

Beschreibung: CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP1206C123J

FCP1206C123J

Beschreibung: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP1206C123J-H1

FCP1206C123J-H1

Beschreibung: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
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FCP099N65S3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP1206C153G

FCP1206C153G

Beschreibung: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP1206C153G-H1

FCP1206C153G-H1

Beschreibung: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP110N65F

FCP110N65F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP11N60

FCP11N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP11N60N

FCP11N60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP1206C123G

FCP1206C123G

Beschreibung: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
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FCP1206C183G

FCP1206C183G

Beschreibung: CAP FILM 0.018UF 2% 16VDC 1206

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP0805H821J

FCP0805H821J

Beschreibung: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
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FCP1206C183G-H1

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Beschreibung: CAP FILM 0.018UF 2% 16VDC 1206

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
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FCP1206C123G-H1

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Beschreibung: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

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