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FCP22N60N-F102

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FCP22N60N-F102
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FCP22N60N-F102.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±45V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    205W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    FCP22N60N_F102
    FCP22N60N_F102-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    39 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1950pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    22A (Tc)

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Das Folgende sind "FCP22N60N-F102" -Einziper.
FCP20N60_F080

FCP20N60_F080

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP2416H154J-D1

FCP2416H154J-D1

Beschreibung: CAP FILM 0.15UF 5% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP2416H154J-D3

FCP2416H154J-D3

Beschreibung: CAP FILM 0.15UF 5% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP2416H154G-D1

FCP2416H154G-D1

Beschreibung: CAP FILM 0.15UF 2% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP2416H154G-D3

FCP2416H154G-D3

Beschreibung: CAP FILM 0.15UF 2% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP22N60N

FCP22N60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP2416H124J-D1

FCP2416H124J-D1

Beschreibung: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP20N60

FCP20N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP1913H823J-E2

FCP1913H823J-E2

Beschreibung: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP2416H154J

FCP2416H154J

Beschreibung: CAP FILM 0.15UF 5% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP20N60FS

FCP20N60FS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP2416H124G-D1

FCP2416H124G-D1

Beschreibung: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP2416H154G

FCP2416H154G

Beschreibung: CAP FILM 0.15UF 2% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP2416H124G

FCP2416H124G

Beschreibung: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP220N80

FCP220N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 23A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCP1913H823J

FCP1913H823J

Beschreibung: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP2416H124J

FCP2416H124J

Beschreibung: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
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RFQ
FCP20N60_G

FCP20N60_G

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FCP1913H823G-E4

FCP1913H823G-E4

Beschreibung: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
FCP1913H823J-E4

FCP1913H823J-E4

Beschreibung: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
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