Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > FDB0260N1007L

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

4690532

FDB0260N1007L-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0260N1007L

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

800+

$4.087

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

FDB0260N1007L
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDB0260N1007L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263)
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 27A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 250W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Andere Namen

FDB0260N1007LTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8545pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "FDB0260N1007L" -Einziper.

FDB029N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB0105N407L

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 460A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB024N04AL7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB045AN08A0-F085

FDB045AN08A0-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB0190N807L

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB039N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB0250N807L

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB0300N1007L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB035AN06A0-F085

FDB035AN06A0-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB045AN08A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB024N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB024N08BL7

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB035N10A

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB035AN06A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB0165N807L

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB047N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB016N04AL7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB0170N607L

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB031N08

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB-S

Beschreibung: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Hersteller: Hirose

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.