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6369619FDB3652-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB3652

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDB3652
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FDB3652.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 61A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    150W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    FDB3652-ND
    FDB3652TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2880pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    9A (Ta), 61A (Tc)

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FDB3672-F085

FDB3672-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB3632

FDB3632

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB3502

FDB3502

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB38N30U

FDB38N30U

Beschreibung: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB3632-F085

FDB3632-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2572

FDB2572

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB3860

FDB3860

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB28N30TM

FDB28N30TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB3672

FDB3672

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2614

FDB2614

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB390N15A

FDB390N15A

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB4020P

FDB4020P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2710

FDB2710

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB3652-F085

FDB3652-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB3682

FDB3682

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB42AN15A0-F085

FDB42AN15A0-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2670

FDB2670

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB42AN15A0

FDB42AN15A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB3632_SB82115

FDB3632_SB82115

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB33N25TM

FDB33N25TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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