Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > FDB8870-F085

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

4185690

FDB8870-F085-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8870-F085

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

800+

$1.228

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

FDB8870-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDB8870-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263AB
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)

160W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FDB8870-F085TR
FDB8870_F085
FDB8870_F085-ND
FDB8870_F085TR
FDB8870_F085TR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Ta), 160A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "FDB8870-F085" -Einziper.

FDB8876

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8878

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB86569-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB9403L-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8880

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8832

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB9403-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8860

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB9406-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8896-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB86563-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB86366-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8870

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB86566-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8832-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8896

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB86363-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8874

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDB8860-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.