FDC30N20DZ

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Spezifikation

Artikelnummer

FDC30N20DZ
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDC30N20DZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 4.6A, 10V
Verlustleistung (max)

960mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

FDC30N20DZOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 4.6A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.6A (Ta)

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