FDC602P_F095

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Spezifikation

Artikelnummer

FDC602P_F095
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDC602P_F095.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SuperSOT™-6
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.6W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1456pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.5A (Ta)

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2025/03/31

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Das Folgende sind "FDC602P_F095" -Einziper.

FDC5XPRCA02H132X

Beschreibung: CONN D-SUB PLUG 50POS VERT SLDR

Hersteller: Conec

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