FDD068AN03L

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Spezifikation

Artikelnummer

FDD068AN03L
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDD068AN03L.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252AA
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)

80W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2525pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 17A (Ta), 35A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Ta), 35A (Tc)

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Versand
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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDD068AN03L" -Einziper.

FDD1-17238CBAW4C

Beschreibung: FAN AXIAL 172X38.5MM 12VDC WIRE

Hersteller: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.

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