FDD5810-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDD5810-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDD5810-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-PAK (TO-252)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 32A, 10V
Verlustleistung (max)

72W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

FDD5810-F085TR
FDD5810_F085
FDD5810_F085-ND
FDD5810_F085TR
FDD5810_F085TR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

29 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 7.4A (Ta), 37A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.4A (Ta), 37A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDD5810-F085" -Einziper.

FDD5N50NZFTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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