Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > FDD6N20TF
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2902850

FDD6N20TF

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDD6N20TF
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FDD6N20TF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-Pak
  • Serie
    UniFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    800 mOhm @ 2.3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    40W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    FDD6N20TFTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    230pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.1nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 200V 4.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.5A (Tc)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "FDD6N20TF" -Einziper.
FDD6N25TM

FDD6N25TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6N25TF

FDD6N25TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6N20TM

FDD6N20TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6776A

FDD6776A

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 17.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6N50TM-F085

FDD6N50TM-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6N50TM

FDD6N50TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6N50TF

FDD6N50TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6796

FDD6796

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6N50TM-WS

FDD6N50TM-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6780A

FDD6780A

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6778A

FDD6778A

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6N50FTF

FDD6N50FTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6N50TM

FDD6N50TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6N50FTM

FDD6N50FTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6782A

FDD6782A

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6696

FDD6696

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6796A

FDD6796A

Beschreibung: MOSFET NCH 25V 20A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6780

FDD6780

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6760A

FDD6760A

Beschreibung: MOSFET NCH 25V 27A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD6770A

FDD6770A

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 24A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.