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FDG6302P

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDG6302P
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FDG6302P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-70-6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 Ohm @ 140mA, 4.5V
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    12pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.31nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    25V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 140mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    140mA

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Das Folgende sind "FDG6302P" -Einziper.
FDG361N

FDG361N

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6303N-F169

FDG6303N-F169

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG330P

FDG330P

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6308P

FDG6308P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6301N_D87Z

FDG6301N_D87Z

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6304P-F169

FDG6304P-F169

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6301N-F085P

FDG6301N-F085P

Beschreibung: DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG329N

FDG329N

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6304P-X

FDG6304P-X

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG410NZ

FDG410NZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6301N-F085

FDG6301N-F085

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6303N

FDG6303N

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6306P

FDG6306P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG328P

FDG328P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6301N

FDG6301N

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
vorrätig
RFQ
FDG6304P

FDG6304P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG332PZ

FDG332PZ

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6303N_G

FDG6303N_G

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6303N_D87Z

FDG6303N_D87Z

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6304P_D87Z

FDG6304P_D87Z

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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