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4665918FDJ128N-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDJ128N

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDJ128N
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FDJ128N.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC75-6 FLMP
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.6W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC75-6 FLMP
  • Andere Namen
    FDJ128N_NLCT
    FDJ128N_NLCT-ND
    FDJ128NCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    543pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5.5A (Ta)

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Das Folgende sind "FDJ128N" -Einziper.
IXTP54N30T

IXTP54N30T

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRFR1205TRR

IRFR1205TRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
RFQ
FDJ1028N

FDJ1028N

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDJ1032C

FDJ1032C

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDJ127P

FDJ127P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSC120N03LSGATMA1

BSC120N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDJ1027P

FDJ1027P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD86367-F085

FDD86367-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
TSM160P04LCRHRLG

TSM160P04LCRHRLG

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
IPU60R2K1CEAKMA1

IPU60R2K1CEAKMA1

Beschreibung: CONSUMER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFSL4127PBF

IRFSL4127PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 72A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDJ129P

FDJ129P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDJ129P_F077

FDJ129P_F077

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDJ128N_F077

FDJ128N_F077

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRLBA1304P

IRLBA1304P

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STW45N60DM2AG

STW45N60DM2AG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
WPB4001-1E

WPB4001-1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTQ36N20T

IXTQ36N20T

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
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