FDMS3622S

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Spezifikation

Artikelnummer

FDMS3622S
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDMS3622S.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

Power56
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 17.5A, 10V
Leistung - max

1W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

FDMS3622SCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 34A 1W Surface Mount Power56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17.5A, 34A

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDMS3622S" -Einziper.

FDMS3672

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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