FDMS8350LET40

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Spezifikation

Artikelnummer

FDMS8350LET40
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDMS8350LET40.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

Power56
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.85 mOhm @ 47A, 10V
Verlustleistung (max)

3.33W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16590pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

219nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 49A (Ta), 300A (Tc) 3.33W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount Power56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

49A (Ta), 300A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDMS8350LET40" -Einziper.

FDMS8560S

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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