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FDP039N08B-F102

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Spezifikation

Artikelnummer

FDP039N08B-F102
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 80V 120A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDP039N08B-F102.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220-3
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

214W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

FDP039N08B_F102
FDP039N08B_F102-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9450pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

133nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDP039N08B-F102" -Einziper.

FDP030N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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