FDP083N15A-F102

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Spezifikation

Artikelnummer

FDP083N15A-F102
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDP083N15A-F102.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220-3
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)

294W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

FDP083N15A_F102
FDP083N15A_F102-ND
FDP083N15A_F102FS-ND
FDP083N15AF102
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6040pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 83A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

83A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

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Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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