FDP2710-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDP2710-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 4A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDP2710-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220-3
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

47 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

403W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

FDP2710_F085
FDP2710_F085-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5690pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

101nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 250V 4A (Ta) 403W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Ta)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDP2710-F085" -Einziper.

FDP3672

Beschreibung: MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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