FDS6690A_NBBM015A

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Spezifikation

Artikelnummer

FDS6690A_NBBM015A
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1205pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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FDS6690A

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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