FDS8449-F085P

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Spezifikation

Artikelnummer

FDS8449-F085P
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NMOS SO8 40V 29 MOHM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDS8449-F085P.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 7.6A, 10V
Verlustleistung (max)

5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 7.6A (Ta) 5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.6A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDS8449-F085P" -Einziper.

FDS7788

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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