FDU8780_F071

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Spezifikation

Artikelnummer

FDU8780_F071
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDU8780_F071.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-251AA
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 35A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDU8780_F071" -Einziper.

FDU8586

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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