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FDV303N

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Spezifikation

Artikelnummer

FDV303N
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FDV303N.pdf
2.FDV303N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

350mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

FDV303NCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

680mA (Ta)

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Das Folgende sind "FDV303N" -Einziper.

FDV302P-NB8V001

FDV302P-NB8V001

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV14-187Q

Beschreibung: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Hersteller: 3M

vorrätig

FDV304P

FDV304P

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV0530-H-2R2M=P3

FDV0530-H-2R2M=P3

Beschreibung: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD

Hersteller: Murata Electronics

vorrätig

FDV14-250Q

FDV14-250Q

Beschreibung: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Hersteller: 3M

vorrätig

FDV18-250Q

FDV18-250Q

Beschreibung: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Hersteller: 3M

vorrätig

FDV304P_NB8U003

FDV304P_NB8U003

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV18-187Q

Beschreibung: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Hersteller: 3M

vorrätig

FDV305N

FDV305N

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV302P_D87Z

FDV302P_D87Z

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV304P-D87Z

FDV304P-D87Z

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDVE1040-H-3R3M=P3

FDVE1040-H-3R3M=P3

Beschreibung: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD

Hersteller: Murata Electronics

vorrätig

FDV10-250Q

FDV10-250Q

Beschreibung: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Hersteller: 3M

vorrätig

FDV301N-NB9V005

FDV301N-NB9V005

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV302P

FDV302P

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV303N_NB9U008

FDV303N_NB9U008

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV301N

FDV301N

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV301N_D87Z

FDV301N_D87Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDV045P20L

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDVE1040-H-4R7M=P3

FDVE1040-H-4R7M=P3

Beschreibung: FIXED IND 4.7UH 8A 13.8MOHM SMD

Hersteller: Murata Electronics

vorrätig

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