FDWS9508L_F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDWS9508L_F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH PWR TRENCH PT8-40V
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDWS9508L_F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PQFN (5x6)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

214W (Tj)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4840pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 80A (Tc) 214W (Tj) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDWS9508L_F085" -Einziper.

FDW9926NZ

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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