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5306698FJA13009TU-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJA13009TU

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FJA13009TU
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN 400V 12A TO-3P
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FJA13009TU.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    400V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 3A, 12A
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    130W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    4MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 12A 4MHz 130W Through Hole TO-3P
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    8 @ 5A, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    12A

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