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FJN3312RBU

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FJN3312RBU
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FJN3312RBU.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    40V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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FJN3307RBU

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FJN3309RBU

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FJN3313RBU

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FJN3308RTA

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FJN3315RTA

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FJN4301RTA

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FJN3315RBU

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FJN3314RBU

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