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5255683FJNS4207RBU-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJNS4207RBU

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FJNS4207RBU
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92S
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    22 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    68 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
FJNS4208RTA

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

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FJNS4205RTA

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FJNS4210RTA

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJNS4203RBU

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJNS4202RTA

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJNS4207RTA

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FJNS4206RTA

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FJNS4204RBU

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FJNS4210RBU

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FJNS4211RBU

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FJNS4205RBU

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FJNS4208RBU

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FJNS4206RBU

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FJNS4204RTA

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FJNS4203RTA

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FJNS4212RBU

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FJNS4211RTA

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FJNS4202RBU

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FJNS4209RBU

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FJNS4209RTA

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