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FJV3114RMTF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FJV3114RMTF
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.FJV3114RMTF.pdf
    2.FJV3114RMTF.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    FJV3114RMTFDKR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    13 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    68 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    FJV3114

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FJV4105RMTF

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FJV4102RMTF

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FJV4104RMTF

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FJV3107RMTF

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FJV4101RMTF

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FJV3104RMTF

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FJV3112RMTF

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FJV3115RMTF

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FJV3113RMTF

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FJV4107RMTF

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FJV3111RMTF

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