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2355192FODM121DR2V-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FODM121DR2V

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FODM121DR2V
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Ausgabe (max)
    80V
  • Spannung - Isolation
    3750Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.3V (Max)
  • VCE Sätttigung (max)
    400mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-Mini-Flat
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    3µs, 3µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SMD, Gull Wing
  • Ausgabetyp
    Transistor
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 110°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-Mini-Flat
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    50% @ 5mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    600% @ 5mA
  • Strom - Ausgang / Kanal
    80mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA
FODM121CR1

FODM121CR1

Beschreibung: OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FODM121CV

FODM121CV

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vorrätig
FODM121DV

FODM121DV

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FODM121D

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FODM121C

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FODM121DR1V

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FODM121FR1V

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FODM121ER2V

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FODM121EV

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FODM121E

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FODM121ER1V

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FODM121FR1

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FODM121F

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FODM121ER1

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FODM121CR2V

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FODM121DR2

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FODM121ER2

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FODM121DR1

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FODM121BV

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