FQA11N90C-F109

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Spezifikation

Artikelnummer

FQA11N90C-F109
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQA11N90C-F109.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3P
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen

FQA11N90C_F109
FQA11N90C_F109-ND
FQA11N90CF109
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

31 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3290pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FQA11N90C-F109" -Einziper.

FQA13N80-F109

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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