FQA7N80C-F109

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Spezifikation

Artikelnummer

FQA7N80C-F109
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQA7N80C-F109.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3PN
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)

198W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen

FQA7N80C_F109
FQA7N80C_F109-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

5 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 7A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Tc)

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FQA7N80C

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

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FQA6N90_F109

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

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